Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NTMFS4H013NFT3G

MOSFET N-CH 25V 43A/269A 5DFN

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
NTMFS4H013N

NTMFS4H013NFT3G Hakkında

NTMFS4H013NFT3G, onsemi tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 25V drain-source gerilimi ve 43A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. 5DFN (8-SOFL) yüzey montajı paketinde sunulan bu bileşen, 0.9mΩ on-state direnci sayesinde düşük güç kaybıyla çalışır. 10V gate geriliminde maksimum 56nC gate yükü ve 3923pF input kapasitanspı ile hızlı anahtarlama performansı sağlar. -20V ile +20V arasında gate gerilimi toleransı ve 150°C çalışma sıcaklığı ile geniş uygulama alanında kullanılabilir. Güç yönetimi, motor kontrolü, DC-DC dönüştürücüler ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 43A (Ta), 269A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3923 pF @ 12 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN, 5 Leads
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2.7W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 0.9mOhm @ 30A, 10V
Supplier Device Package 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.1V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok