Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NTMFS4D2N10MDT1G
N-CHANNEL SHIELDED GATE POWERTRE
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NTMFS4D2N10MDT1G
NTMFS4D2N10MDT1G Hakkında
NTMFS4D2N10MDT1G, onsemi tarafından üretilen N-Channel Shielded Gate MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ile tasarlanmış olup, 16.4A sürekli drain akımı (Ta=25°C) ve 113A (Tc) kapasitesine sahiptir. 4.3mOhm RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. 8-PowerTDFN (5x6) paketinde sunulan bu transistör, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Güç dönüştürme devreleri, DC-DC konverterler, motor sürücüleri ve yüksek akım anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Düşük kapı yükü (60nC) ile hızlı anahtarlamayı destekler.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 16.4A (Ta), 113A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 60 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3100 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN, 5 Leads |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.8W (Ta), 132W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.3mOhm @ 46A, 10V |
| Supplier Device Package | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 239µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok