Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NTMFS4C822NAT3G

TRENCH 6 30V NCH

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
NTMFS4C822N

NTMFS4C822NAT3G Hakkında

NTMFS4C822NAT3G, onsemi tarafından üretilen 30V N-Channel MOSFET transistördür. Trench teknolojisi kullanılarak tasarlanan bu bileşen, 30A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılmaktadır. 1.7mOhm (10V, 30A'de) düşük RDS(on) değeri ile verimli çalışma sağlar. 8-PowerTDFN pakete monte edilen bu transistör, -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. LED sürücüleri, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol devreleri ve güç yönetimi uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 30A (Ta), 136A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 45.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3071 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN, 5 Leads
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 3.1W (Ta), 64W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.7mOhm @ 30A, 10V
Supplier Device Package 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok