Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NTMFS4C810NAT3G
TRENCH 6 30V NCH
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NTMFS4C810N
NTMFS4C810NAT3G Hakkında
NTMFS4C810NAT3G, onsemi tarafından üretilen 30V N-Channel MOSFET transistördür. Trench teknolojisi kullanılarak tasarlanan bu bileşen, 8.2A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. 5.88mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. 8-PowerTDFN 5-pin paketinde sunulan bu FET, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi, motor kontrolü ve DC-DC konvertörlerde yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve yüksek entegrasyon gerektiren kompakt tasarımlar için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8.2A (Ta), 46A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18.6 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 987 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN, 5 Leads |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 750mW (Ta), 23.6W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.88mOhm @ 30A, 10V |
| Supplier Device Package | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok