Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NTMFS4C810NAT1G
TRENCH 6 30V NCH
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NTMFS4C810N
NTMFS4C810NAT1G Hakkında
NTMFS4C810NAT1G, onsemi tarafından üretilen 30V N-Channel MOSFET transistördür. Trench teknolojisi ile tasarlanan bu bileşen, 8.2A sürekli dren akımı (Ta) ve 46A (Tc) kapasitesine sahiptir. 5.88mΩ maksimum Rds(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. Surface Mount 8-PowerTDFN paket içinde 5 lead konfigürasyonu ile sunulur. Gate charge değeri 18.6nC ve input kapasitans 987pF'dir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Güç yönetimi, anahtarlama uygulamaları ve motor kontrol devrelerinde kullanılır. 10V gate drive voltajında en yüksek performansı gösterir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8.2A (Ta), 46A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18.6 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 987 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN, 5 Leads |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 750mW (Ta), 23.6W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.88mOhm @ 30A, 10V |
| Supplier Device Package | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok