Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NTMFS4C808NAT3G
TRENCH 6 30V NCH
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NTMFS4C808
NTMFS4C808NAT3G Hakkında
NTMFS4C808NAT3G, onsemi tarafından üretilen 30V N-Channel MOSFET transistördür. Trench teknolojisi kullanılarak tasarlanan bu bileşen, 9A sürekli drain akımı (Ta) ve 52A (Tc) kapasitesine sahiptir. 4.8mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük açılış direnci sağlayan bu FET, anahtarlama uygulamalarında güç kaybını minimize eder. 8-PowerTDFN (5 bacaklı DFN) paketinde sunulan komponent, -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Gate charge 18.2nC ve input capacitance 1670pF değerleriyle hızlı anahtarlama performansı sunar. Güç yönetimi, DC-DC konvertörler, motor kontrol ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında kullanılmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9A (Ta), 52A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18.2 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1670 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN, 5 Leads |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 760mW (Ta), 25.5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.8mOhm @ 18A, 10V |
| Supplier Device Package | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok