Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NTMFS4C805NAT1G

TRENCH 6 30V NCH

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
NTMFS4C805N

NTMFS4C805NAT1G Hakkında

NTMFS4C805NAT1G, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V Drain-Source gerilimi ile tasarlanan bu bileşen, 11.9A (Ta) / 78A (Tc) sürekli dren akımı sağlar. Düşük on-resistance (2.8mOhm @ 30A, 10V) ile güç dağılımını minimize eder. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. 8-PowerTDFN 5-pin SMD paketinde sunulan bu MOSFET, anahtarlama uygulamaları, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol devreleri ve güç yönetimi sistemlerinde kullanılır. 4.5V ve 10V sürüş gerilimlerinde optimize edilmiş tasarımı, gömülü sistemlerde ve endüstriyel uygulamalarda etkili çalışma sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 11.9A (Ta), 78A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1972 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN, 5 Leads
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 770mW (Ta), 33W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.8mOhm @ 30A, 10V
Supplier Device Package 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok