Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NTMFS4C302NT1G
MOSFET N-CH 30V 41A/230A 5DFN
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NTMFS4C302N
NTMFS4C302NT1G Hakkında
NTMFS4C302NT1G, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilim derecesine sahip olan bu bileşen, 41A sürekli akım (Ta'da) ve 230A tepe akımı (Tc'de) sağlayabilir. PowerTDFN 5 bacaklı paketinde sunulan komponent, 1.15mΩ maksimum Rds(on) değeri ile düşük güç kaybı karakteristiği gösterir. Gate charge 82nC @ 10V ve 2.2V eşik gerilim değerleriyle hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirebilir. -55°C ile 150°C arası çalışma sıcaklık aralığında kullanılabilen bu MOSFET, motor sürücüler, güç yönetimi devreleri, DC-DC dönüştürücüler ve elektrik aletleri gibi uygulamalarda tercih edilir. Surface mount teknolojisine uygun olan komponent, yüksek entegrasyon yoğunluğu gerektiren tasarımlarda kullanılmaya uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 41A (Ta), 230A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 82 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5780 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN, 5 Leads |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.13W (Ta), 96W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.15mOhm @ 30A, 10V |
| Supplier Device Package | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok