Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NTMFS4C13NT1G

MOSFET N-CH 30V 7.2A/38A 5DFN

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
NTMFS4C13NT

NTMFS4C13NT1G Hakkında

NTMFS4C13NT1G, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ile tasarlanan bu bileşen, 38A sürekli drenaj akımı (Tc'de) ve 7.2A (Ta'da) çalışma kapasitesine sahiptir. 9.1mΩ maksimum on-state direnci (Rds On) ile düşük güç kaybı sağlar. 5DFN (8-PowerTDFN) yüzey montaj paketinde sunulan komponent, -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Yüksek sıcaklıklarda 750mW güç dağıtabilen NTMFS4C13NT1G, anahtarlama uygulamaları, motor kontrolü, güç yönetimi ve DC-DC dönüştürücü tasarımlarında yaygın olarak kullanılır. 2.1V kapı eşik gerilimi ile hızlı komutasyon özelliği sunması, bu transistörü verimli ve kompakt devre tasarımları için uygun kılmaktadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7.2A (Ta), 38A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 770 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN, 5 Leads
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 750mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.1mOhm @ 30A, 10V
Supplier Device Package 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.1V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok