Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NTMFS4C10NT1G

MOSFET N-CH 30V 8.2A 5DFN

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
NTMFS4C10NT

NTMFS4C10NT1G Hakkında

NTMFS4C10NT1G, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltajı ve 8.2A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. 5DFN paket tipi ile surface mount uygulamalarına uygundur. 6.95mΩ maksimum Rds(on) değeri ile düşük geçiş kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir. Güç dönüştürücüler, DC-DC konvertörleri, motor kontrol devreleri ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. 9.7nC gate charge ve 987pF input capacitance değerleri hızlı anahtarlama performansı sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8.2A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 987 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN, 5 Leads
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 750mW (Ta), 23.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.95mOhm @ 30A, 10V
Supplier Device Package 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok