Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NTMFS4C10NBT1G
MOSFET N-CH 30V 16.4A/46A 5DFN
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NTMFS4C10N
NTMFS4C10NBT1G Hakkında
NTMFS4C10NBT1G, onsemi tarafından üretilen N-Channel Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET) bileşenidir. 30V drain-source gerilimi ile 16.4A sürekli (Ta) veya 46A (Tc) akım kapasitesine sahiptir. 5DFN (5x6mm) paket tipinde tedarik edilir. 6.95mOhm maksimum Rds(on) değeri ile düşük iletim direncine sahiptir. Gate charge 18.6nC olup hızlı anahtarlama özellikleri sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığına dayanabilir. Güç yönetimi, motor sürücü devreleri, DC-DC konverterler ve aydınlatma uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. 10V gate geriliminde maksimum performans gösterir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 16.4A (Ta), 46A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18.6 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 987 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN, 5 Leads |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.51W (Ta), 23.6W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.95mOhm @ 30A, 10V |
| Supplier Device Package | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok