Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NTMFS4C09NT1G

MOSFET N-CH 30V 9A 5DFN

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
NTMFS4C09NT

NTMFS4C09NT1G Hakkında

NTMFS4C09NT1G, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 9A sürekli drain akımı ile tasarlanmıştır. 5.8mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük kayıp uygulamalarda kullanılır. Açma gerilimi (Vgs(th)) 2.1V @ 250µA olup, hızlı anahtarlama gerektiren uygulamalara uygundur. -55°C ile 150°C arasında çalışan bu bileşen, güç yönetimi, motor kontrolü, güç dönüştürücüleri ve anahtarlama regülatörü gibi uygulamalarda tercih edilir. 8-PowerTDFN (5x6) yüzey montajlı paket ile kompakt PCB tasarımlarına uyumludur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1252 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN, 5 Leads
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 760mW (Ta), 25.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.8mOhm @ 30A, 10V
Supplier Device Package 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.1V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok