Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NTMFS4C09NBT1G

MOSFET N-CH 30V SO8FL

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
Seri / Aile Numarası
NTMFS4C09N

NTMFS4C09NBT1G Hakkında

NTMFS4C09NBT1G, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilim (Vdss) derecesi ile güç anahtarlama ve sinyal yönetimi uygulamalarında kullanılır. SO8FL yüzey monte paket ile kompakt tasarımlar için uygundur. 1252 pF giriş kapasitansi ve 760mW güç tüketim kapasitesi ile sürücü devreler, anahtarlama uygulamaları ve düşük gerilim güç yönetimi sistemlerinde yer alır. Geniş çalışma sıcaklığı aralığı (-55°C ~ 150°C) ile endüstriyel ve otomotiv uygulamalarında tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
FET Type N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1252 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 760mW (Ta)
Technology MOSFET (Metal Oxide)

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok