Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NTMFS4C09NAT1G

MOSFET N-CH 30V 9A/52A 5DFN

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
NTMFS4C09NAT

NTMFS4C09NAT1G Hakkında

NTMFS4C09NAT1G, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ile 9A sürekli (Ta) ve 52A darbe akımı (Tc) kapasitesine sahiptir. 5.8mΩ on-state direnci sayesinde düşük ısı kaybı sağlar. Surface mount 5DFN paketinde sunulan bu bileşen, 1.9nC gate yükü ve 1252pF input kapasitesi ile hızlı anahtarlamaya uygun tasarlanmıştır. -55°C ile 150°C arasında çalışan bu transistör, DC/DC konvertörler, güç yönetimi devreleri, LED sürücüleri ve motor kontrol uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9A (Ta), 52A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1252 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN, 5 Leads
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 760mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.8mOhm @ 30A, 10V
Supplier Device Package 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id 2.1V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok