Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NTMFS4C08NAT1G
MOSFET N-CH 30V 16.4A/52A 5DFN
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NTMFS4C08NA
NTMFS4C08NAT1G Hakkında
NTMFS4C08NAT1G, onsemi tarafından üretilen N-channel MOSFET transistörüdür. 30V Drain-Source gerilimi ve 16.4A sürekli dren akımı (Ta) kapasitesine sahiptir. Isıl yönetim iyileştirilmiş koşullarda (Tc) 52A'ye kadar akım sağlayabilir. 5.8mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sunar. 10V gate geriliminde 18.2nC gate yükü ve 1670pF input kapasitansı ile hızlı anahtarlama özelliği gösterir. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. 8-PowerTDFN 5-pin yüzey montaj pakajda sunulur. Güç yönetimi, motor kontrolü, DC-DC konvertörleri, şarj devreleri ve ağır akım anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 16.4A (Ta), 52A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18.2 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1670 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN, 5 Leads |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.51W (Ta), 25.5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.8mOhm @ 18A, 10V |
| Supplier Device Package | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok