Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NTMFS4C028NT1G

MOSFET N-CH 30V 16.4A/52A 5DFN

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
NTMFS4C028N

NTMFS4C028NT1G Hakkında

NTMFS4C028NT1G, onsemi tarafından üretilen N-kanal MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilimi ve 52A (Tc'de) sürekli akım kapasitesiyle yüksek güç uygulamalarında kullanılır. 4.73mΩ RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Surface mount 8-PowerTDFN (5x6) pakette sunulan bu bileşen, güç yönetimi devrelerinde, DC-DC konvertörlerde, motor sürücülerinde ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen geniş sıcaklık aralığı endüstriyel ortamlar için uygun olmasını sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 16.4A (Ta), 52A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1252 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN, 5 Leads
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2.51W (Ta), 25.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.73mOhm @ 30A, 10V
Supplier Device Package 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.1V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok