Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NTMFS4926NET1G

MOSFET N-CH 30V 9A/44A 5DFN

Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
NTMFS4926NET1G

NTMFS4926NET1G Hakkında

NTMFS4926NET1G, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V Drain-Source gerilimi ile tasarlanmış olup, 25°C sıcaklıkta 9A sürekli drenaj akımı ve termal koşullarda 44A kapasitesine sahiptir. 7mOhm (10V, 30A) tipik RDS(on) değeri ile düşük güç kaybı sağlar. 5DFN (5x6) yüzey montajlı pakette sunulan bu transistör, -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Gate charge değeri 17.3nC olup, hızlı anahtarlama uygulamalarına uygundur. Güç yönetimi, motor kontrol, DC-DC dönüştürücüler ve anahtarlama güç kaynakları gibi endüstriyel elektronik uygulamalarında kullanılır. Ürün statüsü obsolete olarak işaretlenmiştir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9A (Ta), 44A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1004 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN, 5 Leads
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 920mW (Ta), 21.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7mOhm @ 30A, 10V
Supplier Device Package 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok