Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NTMFS4922NET1G

MOSFET N-CH 30V 17.1A/147A 5DFN

Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
NTMFS4922NET1G

NTMFS4922NET1G Hakkında

NTMFS4922NET1G, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilimi ile tasarlanan bu bileşen, 17.1A sürekli akım ve maksimum 147A akım kapasitesine sahiptir. 2mΩ on-state direnci ile düşük güç kaybı sağlar. 5x6mm boyutundaki 5-pin DFN (PowerTDFN) paketinde sunulur. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, DC-DC dönüştürücüler ve motor sürücülerinde kullanılır. Gate eşik gerilimi 2V (@250µA) olup, ±20V gate gerilimi toleransı vardır. Yüksek hız anahtarlaması için 76.5nC gate charge'a sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 17.1A (Ta), 147A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 76.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5505 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN, 5 Leads
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 930mW (Ta), 69.44W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2mOhm @ 30A, 10V
Supplier Device Package 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok