Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NTMFS3D6N10MCLT1G

MOSFET N-CH 100V 19.5A/131A 5DFN

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
NTMFS3D6N10M

NTMFS3D6N10MCLT1G Hakkında

NTMFS3D6N10MCLT1G, onsemi tarafından üretilen 100V N-Channel MOSFET transistörüdür. Sürekli drain akımı 19.5A (Ta) / 131A (Tc) kapasitesi ile gücü anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 3.6mΩ (10V, 48A) düşük on-state direnci ve 60nC gate yükü, yüksek frekans anahtarlamada verimli çalışma sağlar. 5DFN 8-pin gövdesiyle kompakt tasarımlara entegre edilebilir. -55°C ~ 175°C geniş çalışma sıcaklığı aralığında ve 136W (Tc) maksimum güç dissipasyonu ile DC-DC dönüştürücüler, motor sürücüleri ve güç yönetimi devrelerinde uygulanır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 19.5A (Ta), 131A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4411 pF @ 50 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN, 5 Leads
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 3W (Ta), 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.6mOhm @ 48A, 10V
Supplier Device Package 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 270µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok