Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NTMFS0D8N02P1ET1G

MOSFET N-CH 25V 55A/365A 5DFN

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
NTMFS0D8N02P1

NTMFS0D8N02P1ET1G Hakkında

NTMFS0D8N02P1ET1G, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 25V Drain-Source gerilimi ile 55A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. 8-PowerTDFN (5x6) yüzey montajlı pakette sunulan bu bileşen, 0.68mOhm'luk düşük RDS(On) değeri sayesinde güç uygulamalarında enerji kaybını minimize eder. -55°C ile 150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklığı aralığında, anahtarlama devreleri, güç yönetimi, motor kontrol ve DC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak kullanılır. 52nC gate charge ve 8600pF input capacitance özellikleri ile hızlı ve verimli anahtarlama sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 55A (Ta), 365A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 52 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 8600 pF @ 13 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN, 5 Leads
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 3.2W (Ta), 139W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 0.68mOhm @ 46A, 10V
Supplier Device Package 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) +16V, -12V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 2mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok