Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NTMFS0D7N03CGT1G

MOSFET N-CH 30V 59A/409A 5DFN

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
NTMFS0D7N03CGT1G

NTMFS0D7N03CGT1G Hakkında

NTMFS0D7N03CGT1G, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilimi ve 59A (25°C'de Ta), 409A (Tc'de) sürekli drain akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. 0.65mOhm (@ 30A, 10V) maksimum On-state direnci ile düşük güç kaybı sağlar. 8-PowerTDFN paketinde 5 lead konfigürasyonuyla sunulur ve yüzey montajı uygulamaları için uygundur. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans gösterir. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi, motor kontrol ve DC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 59A (Ta), 409A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 147 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 12300 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN, 5 Leads
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 4W (Ta), 187W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 0.65mOhm @ 30A, 10V
Supplier Device Package 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 280µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok