Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NTMFS010N10GTWG

100V MVSOA IN PQFN56 PACKAGE

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
NTMFS010N10GT

NTMFS010N10GTWG Hakkında

NTMFS010N10GTWG, onsemi tarafından üretilen 100V N-Channel MOSFET transistördür. 11A sürekli dren akımı ve 10.8mOhm (31A, 10V'de) düşük on-direnç ile anahtarlama uygulamalarında ve güç yönetimi devrelerinde kullanılır. PowerTDFN 8-PQFN (5x6) yüzey montajlı pakette sunulan bu bileşen, -55°C ile 175°C arasında çalışır. Gate charge 58.5nC (@10V) ve input kapasitansi 3950pF (@50V) olmak üzere hızlı anahtarlama karakteristiğine sahiptir. Maksimum 3W güç dağıtımı kapasitesi ve ±20V gate voltajı toleransı ile motor kontrol, DC-DC dönüştürücüler ve yüksek akım anahtarlama uygulamalarında yer alır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 11A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 58.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3950 pF @ 50 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10.8mOhm @ 31A, 10V
Supplier Device Package 8-PQFN (5x6)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 164µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok