Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NTMD4884NFR2G

MOSFET N-CH 30V 3.3A 8SOIC

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
8-SOIC
Seri / Aile Numarası
NTMD4884N

NTMD4884NFR2G Hakkında

NTMD4884NFR2G, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilimi ve 3.3A sürekli drain akımı ile tasarlanmıştır. 8-SOIC SMD paketinde sunulan bu bileşen, 10V gate geriliminde 48mOhm maksimum RDS(on) değerine sahiptir. İzole edilmiş Schottky diyot özelliği içerir. Geniş çalışma sıcaklık aralığında (-55°C ~ 150°C) kullanılabilir. Düşük gate charge (4.2nC @ 4.5V) ve kontrollü input kapasitansı (360pF @ 15V) ile hızlı anahtarlama uygulamalarına uygundur. Anahtarlama devreler, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılan genel amaçlı MOSFET'tir. Maksimum 770mW güç tüketimi ile sınırlı alan gerektiren tasarımlarda tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.3A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Feature Schottky Diode (Isolated)
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 360 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 770mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 48mOhm @ 4A, 10V
Supplier Device Package 8-SOIC
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok