Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NTMD4184PFR2G

DUAL P-CHANNEL FETKY POWER MOSFE

Paket/Kılıf
8-SOIC
Seri / Aile Numarası
NTMD4184

NTMD4184PFR2G Hakkında

NTMD4184PFR2G, Rochester Electronics tarafından üretilen dual P-channel Power MOSFET transistördür. 30V Drain-Source gerilimi ve 2.3A sürekli dren akımı ile çalışır. 95mOhm maksimum RDS(On) değeri (3A, 10V koşullarında) düşük kayıpları sağlar. Schottky diyot entegrasyonu hızlı anahtarlama uygulamalarına uygunluk sunar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. 8-SOIC yüzey montaj paketinde sunulur. Güç yönetimi, DC-DC dönüştürücüler, batarya şarj devreleri ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi uygulamalarda kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.3A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Feature Schottky Diode (Isolated)
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 360 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 770mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 95mOhm @ 3A, 10V
Supplier Device Package 8-SOIC
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok