Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NTLUS3C18PZTBG
MOSFET P-CH 12V 4.4A 6UDFN
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- 6-PowerUFDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NTLUS3C18
NTLUS3C18PZTBG Hakkında
NTLUS3C18PZTBG, onsemi tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 12V drain-source gerilim ile çalışabilen bu bileşen, sürekli 4.4A drenaj akımı sağlayabilir. 6-PowerUFDFN (1.6x1.6mm) yüzey montaj paketinde sunulan transistör, düşük RDS(on) değeri (24mOhm @ 4.5V) sayesinde güç uygulamalarında ısıl kayıpları azaltır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu MOSFET, anahtarlama devreleri, güç denetimi, DC-DC dönüştürücüler ve motor kontrol uygulamalarında kullanılır. 660mW maksimum güç yayınlama kapasitesi, kompakt boyutu ve düşük geçiş gerilim gereksinimi ile bu transistör, taşınabilir elektronik cihazlar ve gömülü sistem tasarımlarında tercih edilen bir çözümdür. Not: Bu parça üretilmeyen (obsolete) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.4A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15.8 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1570 pF @ 6 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-PowerUFDFN |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 660mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 24mOhm @ 7A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 6-UDFN (1.6x1.6) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok