Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NTLJS7D2P02P8ZTAG
MOSFET P-CH 20V 7.9A 6PQFN
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- 6-VQFN Exposed Pad
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NTLJS7D2P02P8Z
NTLJS7D2P02P8ZTAG Hakkında
NTLJS7D2P02P8ZTAG, onsemi tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 20V Drain-Source gerilimi, 7.9A sürekli drenaj akımı ve 9mΩ maksimum Rds(on) değeri ile düşük güç kaybı sağlar. 6-PQFN (2x2mm) yüzey montaj paketinde sunulur. -55°C ile 150°C arası çalışma sıcaklığında kullanılabilir. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi, batarya koruma devreleri ve sürücü devrelerinde yaygın olarak kullanılan bir bileşendir. Düşük gate charge (26.7nC @ 4.5V) ile hızlı anahtarlama karakteristiğine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7.9A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 26.7 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2790 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-PowerWDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 860mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9mOhm @ 10A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 6-PQFN (2x2) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok