Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NTLJS5D0N03CTAG

MOSFET N-CH 30V 11.2A 6PQFN

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
6-VQFN Exposed Pad
Seri / Aile Numarası
NTLJS5D0N03C

NTLJS5D0N03CTAG Hakkında

NTLJS5D0N03CTAG, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 11.2A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. 4.38mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. 6-PQFN (2x2mm) yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Gate charge karakteristiği 18nC ve giriş kapasitansi 1255pF'dir. Bu transistör, anahtarlama uygulamaları, motor sürücüleri, güç yönetimi devreleri, DC-DC dönüştürücüler ve yük anahtarlaması gibi uygulamalarda kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 11.2A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1255 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 6-PowerWDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 860mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.38mOhm @ 10A, 10V
Supplier Device Package 6-PQFN (2x2)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok