Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NTLJS4D9N03HTAG
MOSFET N-CH 30V 9.5A 6PQFN
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- 6-VQFN Exposed Pad
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NTLJS4D9N03HTAG
NTLJS4D9N03HTAG Hakkında
NTLJS4D9N03HTAG, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltaj ve 9.5A sürekli drain akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. 6.1mΩ on-resistance (Rds On) ile düşük güç kaybı sağlar. 4.5V gate drive voltajında çalışır ve 2.1V threshold voltajına sahiptir. 6-PowerWDFN (2x2) yüzeye monte paket ile sunulur. -55°C ile 150°C arasında güvenilir çalışma sağlar. Anahtarlama uygulamaları, güç dönüşüm devreleri, motor kontrol ve yük anahtarlaması gibi alanlarda kullanılır. 860mW maksimum güç disipasyonu ile endüstriyel ve tüketici uygulamalarında yaygın olarak tercih edilmektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9.5A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.8 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1020 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-PowerWDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 860mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.1mOhm @ 10A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 6-PQFN (2x2) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok