Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NTLJS4D7N03HTAG

MOSFET N-CH 25V 11.6A 6PQFN

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
6-VQFN Exposed Pad
Seri / Aile Numarası
NTLJS4D7N03H

NTLJS4D7N03HTAG Hakkında

NTLJS4D7N03HTAG, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 25V drain-source gerilimi ve 11.6A sürekli dren akımı kapasitesi ile düşük güç uygulamalarında anahtarlama elemanı olarak kullanılır. 4.1mΩ maksimum on-direnci (10V gate geriliminde) sayesinde enerji kaybı minimumda tutulur. 6-PQFN SMD paketinde sunulan bu bileşen, güç yönetimi devreleri, motor kontrol, LED sürücüleri ve dc-dc dönüştürücü uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. 14nC gate yükü ile hızlı anahtarlama sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 11.6A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 851 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 6-PowerWDFN
Part Status Last Time Buy
Power Dissipation (Max) 860mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.1mOhm @ 10A, 10V
Supplier Device Package 6-PQFN (2x2)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.1V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok