Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NTLJS4159NT1G

MOSFET N-CH 30V 3.6A 6WDFN

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
6-WDFN Exposed Pad
Seri / Aile Numarası
NTLJS4159NT1G

NTLJS4159NT1G Hakkında

NTLJS4159NT1G, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source voltaj, 3.6A sürekli drain akımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. 35mΩ maksimum on-direnci (4.5V gate-source geriliminde, 2A akımda) sayesinde düşük güç kaybı sağlar. 6-WDFN SMD paket içinde sunulan bu komponent, anahtarlama uygulamaları, DC-DC konvertörler, motor kontrolü ve güç yönetimi devrelerinde kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen geniş sıcaklık aralığı ile endüstriyel uygulamalara uygundur. 13nC gate charge değeri ile hızlı anahtarlama özelliğine sahiptir. Komponent kullanımdan kaldırılmış (obsolete) durumdadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.6A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1045 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 6-WDFN Exposed Pad
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 35mOhm @ 2A, 4.5V
Supplier Device Package 6-WDFN (2x2)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±8V
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok