Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NTLJS4114NT1G
MOSFET N-CH 30V 3.6A 6WDFN
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- 6-WDFN Exposed Pad
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NTLJS4114NT1G
NTLJS4114NT1G Hakkında
NTLJS4114NT1G, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltajı ve 3.6A sürekli akım kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 6-WDFN (2x2) yüzey monte paket içinde sunulan bu bileşen, 35mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Gate charge 13nC olup hızlı anahtarlama işlemlerine uygundur. -55°C ile +150°C arasında çalışabilmesi, sürücü devreler, power management, LED kontrolü ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında kullanılmasına olanak tanır. Düşük güç tüketimi ve kompakt tasarımı, tasarım alanının sınırlı olduğu uygulamalar için tercih sebebidir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.6A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 650 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-WDFN Exposed Pad |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 700mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 35mOhm @ 2A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 6-WDFN (2x2) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok