Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NTLJS3D9N03CTAG

MOSFET N-CH 30V 10.3A 6PQFN

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
6-VQFN Exposed Pad
Seri / Aile Numarası
NTLJS3D9N03C

NTLJS3D9N03CTAG Hakkında

NTLJS3D9N03CTAG, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V Drain-Source gerilimi ve 10.3A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. 4.9mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. 6-pin PowerWDFN (2x2mm) yüzey montaj paketinde sunulur. Anahtarlama devrelerinde, DC-DC konvertörlerde, motor kontrol ve güç yönetimi uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile +150°C arasında çalışır ve 860mW maksimum güç dağıtabilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10.3A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1565 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 6-PowerWDFN
Part Status Last Time Buy
Power Dissipation (Max) 860mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.9mOhm @ 10A, 4.5V
Supplier Device Package 6-PQFN (2x2)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±12V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.1V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok