Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NTLJS3D0N02P8ZTAG

MOSFET N-CH 20V 12.1A 6PQFN

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
6-VQFN Exposed Pad
Seri / Aile Numarası
NTLJS3D0N02P8Z

NTLJS3D0N02P8ZTAG Hakkında

NTLJS3D0N02P8ZTAG, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source voltaj ve 12.1A sürekli drenaj akımı ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. 3.8mΩ (4.5V, 10A'da) düşük on-direnci, hızlı anahtarlama ve düşük kapasite değerleri ile verimli güç yönetimi sağlar. Surface mount 6-PQFN paketi ile kompakt tasarımlar için uygundur. Mobil cihazlar, batarya yönetimi, LED sürücüleri, DC-DC dönüştürücüler ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında güvenilir çalışma sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12.1A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 21 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2165 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 6-PowerWDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 860mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.8mOhm @ 10A, 4.5V
Supplier Device Package 6-PQFN (2x2)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±12V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok