Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NTLJS3A18PZTXG

MOSFET P-CH 20V 5A 6WDFN

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
6-WDFN Exposed Pad
Seri / Aile Numarası
NTLJS3A18PZ

NTLJS3A18PZTXG Hakkında

NTLJS3A18PZTXG, onsemi tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 20V dren-kaynak voltajı (Vdss) ve 5A sürekli dren akımı (Id) kapasitesine sahiptir. 18mΩ RDS(on) ile düşük direnç özellikleri sayesinde anahtarlama ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. 6-WDFN (2x2mm) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Mobil cihazlar, pil yönetim sistemleri, DC-DC dönüştürücüler ve değişken güç kaynağı uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. 28nC gate charge ve 2240pF input capacitance özellikleriyle hızlı anahtarlama gerçekleştirir. Bileşen üretim durdurulmuş (Obsolete) statüsündedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 28 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2240 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 6-WDFN Exposed Pad
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 18mOhm @ 7A, 4.5V
Supplier Device Package 6-WDFN (2x2)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±8V
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok