Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NTLJS3A18PZTWG

MOSFET P-CH 20V 5A 6WDFN

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
6-WDFN Exposed Pad
Seri / Aile Numarası
NTLJS3A18PZ

NTLJS3A18PZTWG Hakkında

NTLJS3A18PZTWG, onsemi tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 20V Drain-Source gerilimi ve 5A sürekli dren akımı ile güç kontrol uygulamalarında kullanılır. 18mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük enerji kaybı sağlar. 6-WDFN (2x2mm) yüzey montajlı pakette sunulan bu bileşen, -55°C ile +150°C arasında çalışır. Anahtarlama devreleri, güç yönetimi, motor kontrol ve DC-DC dönüştürücülerde uygulanabilir. Maksimum 700mW güç tüketimine ve 28nC gate charge karakteristiğine sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 28 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2240 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 6-WDFN Exposed Pad
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 18mOhm @ 7A, 4.5V
Supplier Device Package 6-WDFN (2x2)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±8V
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok