Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NTLJS3180PZTBG

MOSFET P-CH 20V 3.5A 6WDFN

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
6-WDFN Exposed Pad
Seri / Aile Numarası
NTLJS3180

NTLJS3180PZTBG Hakkında

NTLJS3180PZTBG, onsemi tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source gerilimi ve 3.5A sürekli drain akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılan bir anahtarlama elemanıdır. 6-WDFN (2x2mm) yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. 38mOhm maksimum on-resistance değeri ile düşük kayıp anahtarlama sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu bileşen, güç yönetimi, motor kontrol, DC-DC dönüştürücüler ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi uygulamalarda tercih edilir. Maksimum 700mW güç tüketimi ile sınırlı ısıl ortamlarda çalışabilir. Not: Bu ürün kullanım dışı bırakılmış (Obsolete) statüsündedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 19.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1100 pF @ 16 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 6-WDFN Exposed Pad
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 38mOhm @ 3A, 4.5V
Supplier Device Package 6-WDFN (2x2)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±8V
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok