Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NTLJS3180PZTBG
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 6-WDFN Exposed Pad
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NTLJS3180
NTLJS3180PZTBG Hakkında
NTLJS3180PZTBG, Rochester Electronics tarafından üretilen küçük sinyal P-Channel MOSFET transistördür. 20V Drain-Source gerilimi ve 3.5A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. 38mΩ RDS(On) değeri ile düşük iletim direncine ve 700mW güç tüketimine olanak tanır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu bileşen, gate charge değeri 19.5nC olup hızlı anahtarlama uygulamaları için uygundur. Surface Mount 6-WDFN pakajında sunulur ve aktif elektronik tasarımlarda, güç yönetimi sistemlerinde, anahtar devrelerinde ve sinyal kontrol uygulamalarında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.5A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 19.5 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1100 pF @ 16 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-WDFN Exposed Pad |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 700mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 38mOhm @ 3A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 6-WDFN (2x2) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok