Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NTLJS3113PTAG
MOSFET P-CH 20V 3.5A 6WDFN
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- 6-WDFN Exposed Pad
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NTLJS3113P
NTLJS3113PTAG Hakkında
NTLJS3113PTAG, onsemi tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source voltajında 3.5A sürekli akım kapasitesi ile çalışır. 6-WDFN (2x2mm) yüzey montajlı paketlemede sunulan bu bileşen, anahtarlama ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. 40mOhm maksimum Rds(On) değeri ile düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile +150°C çalışma sıcaklık aralığında stabil performans gösterir. Maksimum 700mW güç tüketimi ile batarya yönetimi, yük anahtarlaması ve analog anahtarlama devrelerinde tercih edilir. Bileşen şu anda üretimi durdurulmuş (Obsolete) konumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.5A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15.7 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1329 pF @ 16 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-WDFN Exposed Pad |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 700mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 40mOhm @ 3A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 6-WDFN (2x2) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok