Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NTLJS3113PT1G
MOSFET P-CH 20V 3.5A 6WDFN
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- 6-WDFN Exposed Pad
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NTLJS3113PT
NTLJS3113PT1G Hakkında
NTLJS3113PT1G, onsemi tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source voltaj (Vdss) ve 3.5A sürekli drain akımı ile çalışan bu bileşen, 6-WDFN (2x2mm) yüzey montajlı pakete sahiptir. 40mOhm maksimum on-state direnci (Rds On) ile düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve 700mW maksimum güç dağılımı yapabilir. Gate charge 15.7nC olup hızlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilebilir. Anahtarlama devreleri, güç yönetimi, motor kontrol ve genel amaçlı dijital kontrol uygulamalarında kullanılır. Not: Bu ürün üretimi durdurulmuş (obsolete) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.5A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15.7 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1329 pF @ 16 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-WDFN Exposed Pad |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 700mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 40mOhm @ 3A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 6-WDFN (2x2) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok