Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NTLJS2103PTBG
MOSFET P-CH 12V 3.5A 6WDFN
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- 6-WDFN Exposed Pad
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NTLJS2103
NTLJS2103PTBG Hakkında
NTLJS2103PTBG, onsemi tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 12V drain-source gerilimi (Vdss) ile 3.5A sürekli drenaj akımına dayanabilir. 6-WDFN 2x2mm yüzey montajlı paket ile tıkız tasarımlara uyum sağlar. 40mOhm maksimum on-state direnci (Rds On) ile düşük güç kaybı sağlar. 15nC gate charge ve 1157pF input capacitance değerleriyle hızlı anahtarlama karakteristiğine sahiptir. -55°C ile 150°C arasında çalışır ve 700mW güç harcayabilir. Güç yönetimi, load switching, battery protection ve motor kontrol uygulamalarında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.5A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.2V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1157 pF @ 6 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-WDFN Exposed Pad |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 700mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 40mOhm @ 3A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 6-WDFN (2x2) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 800mV @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok