Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NTLJS2103PTAG

MOSFET P-CH 12V 3.5A 6WDFN

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
6-WDFN Exposed Pad
Seri / Aile Numarası
NTLJS2103P

NTLJS2103PTAG Hakkında

NTLJS2103PTAG, onsemi tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 12V drain-source gerilimi (Vdss) ve 3.5A sürekli drain akımı kapasitesi ile düşük güç uygulamalarında kullanılmaya uygundur. 40mOhm maksimum on-direnci (Rds(on)) ile verimli anahtarlama sağlar. 6-WDFN 2x2mm yüzeye monte pakette sunulan bu bileşen, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Düşük gate charge (15nC) ve düşük input kapasitesi (1157pF) sayesinde hızlı anahtarlama özelliğine sahiptir. Güç yönetimi, batarya devre elemanları, DC-DC dönüştürücüler ve çeşitli analog/dijital kontrol uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. Not: Bu ürün obsolete (üretimi durdurulmuş) durumundadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 12 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.2V, 4.5V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1157 pF @ 6 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 6-WDFN Exposed Pad
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 40mOhm @ 3A, 4.5V
Supplier Device Package 6-WDFN (2x2)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±8V
Vgs(th) (Max) @ Id 800mV @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok