Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NTLJS17D0P03P8ZTAG
MOSFET P-CH 30V 7A 6PQFN
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- 6-VQFN Exposed Pad
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NTLJS17D0P03P8Z
NTLJS17D0P03P8ZTAG Hakkında
NTLJS17D0P03P8ZTAG, onsemi tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 30V Drain-Source voltaj kapasitesi ve 7A sürekli dren akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılmaya uygundur. 11.3mΩ (10V, 10A) on-resistance değeri ile düşük güç kaybı sağlar. 6-PQFN yüzey monte paketi küçük PCB tasarımlarına uygunluk sunmaktadır. Anahtarlama devreleri, güç yönetimi, motor sürücüleri ve batarya yönetim sistemlerinde yaygın olarak uygulanmaktadır. -55°C ile +150°C sıcaklık aralığında çalışabilir ve 860mW maksimum güç dağılımı kapasitesine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 38 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1600 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-PowerWDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 860mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.3mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | 6-PQFN (2x2) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok