Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NTLJS1102PTAG
MOSFET P-CH 8V 3.7A 6WDFN
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- 6-WDFN Exposed Pad
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NTLJS1102P
NTLJS1102PTAG Hakkında
NTLJS1102PTAG, onsemi tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 8V dren-kaynak gerilimi (Vdss) ve 3.7A sürekli dren akımı ile tasarlanmıştır. 4.5V kapı geriliminde 36mOhm maksimum RDS(on) değeri düşük enerji kaybı sağlar. 6-WDFN (2x2mm) yüzey monte pakete sahiptir. Maksimum 700mW güç tüketebilir ve -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devresi, batarya koruma, DC-DC dönüştürücüler ve motor kontrol sistemlerinde kullanılmaktadır. Kaynaklanmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.7A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 8 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.2V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1585 pF @ 4 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-WDFN Exposed Pad |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 700mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 36mOhm @ 6.2A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 6-WDFN (2x2) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±6V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 720mV @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok