Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NTLJF4156NT1G

MOSFET N-CH 30V 2.5A 6WDFN

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
6-WDFN Exposed Pad
Seri / Aile Numarası
NTLJF4156NT1G

NTLJF4156NT1G Hakkında

NTLJF4156NT1G, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilimi ve 2.5A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip bu bileşen, 6-WDFN yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. 70mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük direnç özelliği sayesinde güç uygulamalarında enerji kaybını azaltır. İzole edilmiş Schottky diyot içermesi, anahtarlama hızını artırarak ön koşul görevinde etkinlik sağlar. -55°C ile +150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklığı aralığı, endüstriyel ve otomotiv uygulamalarında kullanıma uygundur. Güç yönetimi, motor kontrolü, DC-DC dönüştürücüler ve güç anahtarlaması gibi uygulamalarda tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.5A (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V
FET Feature Schottky Diode (Isolated)
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 427 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 6-WDFN Exposed Pad
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 710mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 70mOhm @ 2A, 4.5V
Supplier Device Package 6-WDFN (2x2)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±8V
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok