Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NTLJF3118NTAG
MOSFET N-CH 20V 2.6A 6WDFN
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- 6-WDFN Exposed Pad
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NTLJF3118
NTLJF3118NTAG Hakkında
NTLJF3118NTAG, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 20V Vdss ile çalışan bu bileşen, 2.6A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. 6-WDFN (2x2mm) yüzey montajlı paket ile sunulan transistör, 65mOhm Rds(on) değerine sahiptir. Schottky diyot özelliği ile izole edilmiş diyot içerir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu FET, düşük sinyal uygulamaları, anahtar devreleri, DC/DC dönüştürücüler ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. 700mW güç saçma kapasitesi ile kompakt tasarımlar için uygundur. Düşük gate charge (3.7nC) sayesinde hızlı anahtarlama gerçekleştirir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.6A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Feature | Schottky Diode (Isolated) |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3.7 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 271 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-WDFN Exposed Pad |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 700mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 65mOhm @ 3.8A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 6-WDFN (2x2) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok