Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NTLJF3117PTAG
MOSFET P-CH 20V 2.3A 6WDFN
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- 6-WDFN Exposed Pad
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NTLJF3117P
NTLJF3117PTAG Hakkında
NTLJF3117PTAG, onsemi tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source voltaj, 2.3A sürekli drenaj akımı ve 100mOhm (4.5V, 2A'de) açık direnç (Rds On) ile karakterize edilir. 6-WDFN (2x2mm) yüzey montajlı paketinde sunulan bu komponent, entegre Schottky diyot içerir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen transistör, switch uygulamalarında, güç yönetimi devrelerinde ve load control sistemlerinde kullanılır. 710mW maksimum güç dissipasyonu kapasitesiyle tasarlanmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.3A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Feature | Schottky Diode (Isolated) |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.2 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 531 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-WDFN Exposed Pad |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 710mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100mOhm @ 2A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 6-WDFN (2x2) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok