Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NTLJD3182FZTBG
MOSFET P-CH 20V 2.2A 6WDFN
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- 6-WDFN Exposed Pad
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NTLJD3182
NTLJD3182FZTBG Hakkında
NTLJD3182FZTBG, onsemi tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 20V drain-source gerilimi ve 2.2A sürekli drenaj akımı ile tasarlanmıştır. 4.5V gate geriliminde 100mOhm Rds(On) değerine sahiptir. Isolated Schottky diyot özelliğine sahip bu bileşen, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri ve motor kontrolü gibi alanlarda kullanılır. 6-WDFN (2x2mm) SMD paketinde sunulan bileşen, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. 710mW maksimum güç disipasyonu ile düşük güç tüketimli tasarımlara uygundur. İzole diyot yapısı sayesinde ters akım koruması sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.2A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Feature | Schottky Diode (Isolated) |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.8 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 450 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-WDFN Exposed Pad |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 710mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100mOhm @ 2A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 6-WDFN (2x2) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok