Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NTLJD3182FZTAG
MOSFET P-CH 20V 2.2A 6WDFN
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- 6-WDFN Exposed Pad
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NTLJD3182F
NTLJD3182FZTAG Hakkında
NTLJD3182FZTAG, onsemi tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source gerilim (Vdss) ve 2.2A sürekli drain akımı kapasitesi ile anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 6-WDFN yüzey montajlı pakette sunulan bileşen, 100mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük güç kaybı sağlar. İzole edilmiş Schottky diyot özelliği içerir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığına sahip olup, DC/DC dönüştürücüler, güç yönetimi devreleri ve motor kontrol uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. Kısa gate charge (7.8nC @ 4.5V) hızlı anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.2A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Feature | Schottky Diode (Isolated) |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.8 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 450 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-WDFN Exposed Pad |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 710mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100mOhm @ 2A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 6-WDFN (2x2) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok