Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NTLGF3501NT1G

MOSFET N-CH 20V 2.8A 6DFN

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
6-VDFN Exposed Pad
Seri / Aile Numarası
NTLGF3501NT1G

NTLGF3501NT1G Hakkında

NTLGF3501NT1G, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source gerilimi ve 2.8A sürekli dren akımı ile düşük güç uygulamalarında anahtarlama ve amplifikasyon görevlerini yerine getirir. 90mOhm maksimum RDS(on) değeri ile enerji kaybını minimalize eder. 6-VDFN (3x3mm) yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile 150°C arasında çalışabilen geniş sıcaklık aralığına sahiptir. Düşük gate charge (10nC) ve input capacitance (275pF) özellikleri ile hızlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. Motor kontrolü, güç yönetimi, LED sürücüleri ve endüstriyel elektronik devreler gibi uygulamalarda kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.8A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 275 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 6-VDFN Exposed Pad
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 1.14W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 90mOhm @ 3.4A, 4.5V
Supplier Device Package 6-DFN (3x3)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±12V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok