Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NTHS5441T1G

MOSFET P-CH 20V 3.9A CHIPFET

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
8-SMD
Seri / Aile Numarası
NTHS5441T

NTHS5441T1G Hakkında

NTHS5441T1G, onsemi tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source gerilimi ve 3.9A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. ChipFET paketinde sağlanan bu bileşen, 46mOhm maksimum On-state direnci ile düşük güç kaybı sağlar. Surface mount 8-SMD flat lead konfigürasyonu ile yüksek yoğunluklu PCB tasarımlarına uygun hale getirilmiştir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, load switching ve motor kontrol uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. 1.3W maksimum güç dağılımı kapasitesi ile kompakt tasarımlar için uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.9A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 710 pF @ 5 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-SMD, Flat Lead
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 1.3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 46mOhm @ 3.9A, 4.5V
Supplier Device Package ChipFET™
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±12V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok